A 180nm CMOS Capacitorless Low Drop-Out Regulator for Battery-operated System

Autores/as

  • Jorge Pérez Bailón Grupo de Diseño Electrónico (GDE) Instituto de Investigación en Ingeniería de Aragón (I3A) Universidad de Zaragoza,
  • Belén Calvo Grupo de Diseño Electrónico (GDE) Instituto de Investigación en Ingeniería de Aragón (I3A) Universidad de Zaragoza,
  • Nicolás Medrano Grupo de Diseño Electrónico (GDE) Instituto de Investigación en Ingeniería de Aragón (I3A) Universidad de Zaragoza,
  • Pedro A. Martínez Grupo de Diseño Electrónico (GDE) Instituto de Investigación en Ingeniería de Aragón (I3A) Universidad de Zaragoza,

DOI:

https://doi.org/10.26754/jji-i3a.201701624

Resumen

This paper presents a fully-integrated 180nm CMOS low drop-out regulator based on a simple telescopic cascode-compensated amplifier driving a PMOS pass-device. It provides a high precision 1.8V output voltage for battery voltages from 3.6V to 1.93V up to a 50mA load current with only 22μA quiescent current.

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Cómo citar

Pérez Bailón, J., Calvo, B., Medrano, N., & Martínez, P. A. (2017). A 180nm CMOS Capacitorless Low Drop-Out Regulator for Battery-operated System. Jornada De Jóvenes Investigadores Del I3A, 4, 7–8. https://doi.org/10.26754/jji-i3a.201701624

Número

Vol. 4: Actas de la V Jornada de Jóvenes Investigadores del I3A - 27 de mayo de 2016

Sección

Artículos (Tecnologías Industriales)