Caracterización experimental de dispositivos nanoelectrónicos en el rango criogénico

Autores/as

  • Miguel Tarancón Cebrián Universidad de Zaragoza
  • Jorge Pérez-Bailón Grupo de Diseño Electrónico (GDE-I3A)
  • Carlos Sánchez Azqueta Grupo de Diseño Electrónico (GDE-I3A)

DOI:

https://doi.org/10.26754/jjii3a.20227051

Resumen

En este trabajo se presenta la caracterización experimental del comportamiento a distintas temperaturas de transistores integrados en un circuito integrado comercial en tecnología CMOS. El rango de temperaturas de interés abarca el habitual de operación de dichos dispositivos (de -40 ºC a +80 ºC) e incluye también la caracterización a ultra-baja tempertura hasta el régimen criogénico a 4 K.

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Publicado

2022-07-18

Número

Sección

Artículos (Tecnologías de la Información y las Comunicaciones)