Diseño y caracterización de un amplificador de bajo ruido para banda X en tecnología CMOS 65 nm

Resumen

Esta contribución presenta el estado actual de un trabajo fin de grado (TFG), el cual consiste en el diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) en tecnología CMOS 65 nm para su implementación en antenas matriciales en banda X (8 GHz). A tal fin, se emplean herramientas estadísticas que evalúen las variaciones introducidas por cambios de temperatura, alteraciones en el voltaje de alimentación o aquellas inherentes al proceso de fabricación CMOS. Comprobamos que estas no modifican de manera significativa el funcionamiento de cada LNA ni producen diferencias entre ellos relevantes que repercutan en la correcta operación de la antena en conjunto.