Estrategia de Diseño de Amplificadores de Bajo Ruido Integrados en Tecnología CMOS nanométrica

Authors

  • Antonio D Martínez Pérez Grupo de Dise´ño Electr´ónico (GDE)
  • Pedro A. Martínez Martínez Grupo de Dise´ño Electr´ónico (GDE)
  • Guillermo Royo Grupo de Dise´ño Electr´ónico (GDE)
  • Francisco Aznar Grupo de Dise´ño Electr´ónico (GDE)
  • Santiago Celma Grupo de Dise´ño Electr´ónico (GDE)

DOI:

https://doi.org/10.26754/jjii3a.4915

Abstract

Las topologías empleadas en los amplificadores de bajo ruido (LNA) han ido haciéndose cada vez más complejas, con las desventajas que ello implica en coste y tiempo de diseño. Este trabajo propone lo contrario, volver a topologías más sencillas y aprovechar dicha sencillez para optimizarlas logrando resultados altamente competitivos.

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Published

2020-12-22

How to Cite

Martínez Pérez, A. D., Martínez Martínez, P. A., Royo, G., Aznar, F., & Celma, S. (2020). Estrategia de Diseño de Amplificadores de Bajo Ruido Integrados en Tecnología CMOS nanométrica. Jornada De Jóvenes Investigadores Del I3A, 8. https://doi.org/10.26754/jjii3a.4915

Issue

Vol. 8: Actas de la IX Jornada de Jóvenes Investigadores del I3A - 11 de diciembre de 2020

Section

Artículos (Tecnologías Industriales)